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實(shí)驗(yàn)室X射線相襯成像技術(shù)—核心調(diào)制和探測(cè)器件技術(shù)分析(下)

2022-11-29 10:11:19

上篇我們談到了使用毛細(xì)管調(diào)制來(lái)提高光源利用率以及采用單光柵/掩模法來(lái)降低系統(tǒng)復(fù)雜度的兩種思路,下面我們來(lái)談?wù)勱P(guān)于光柵/微結(jié)構(gòu)技術(shù)指標(biāo)權(quán)衡、高能大視場(chǎng)器件選擇的其他思路。

 2.1 

大視場(chǎng)光柵/微結(jié)構(gòu)—成本vs指標(biāo)

接下來(lái),回到光柵法相襯的光柵問(wèn)題。我們都知道探測(cè)器前的分析光柵的透過(guò)率對(duì)可見(jiàn)度的影響是非常大的。如果光柵對(duì) X 射線的截止能力不足,那么會(huì)極大的增加探測(cè)器的噪聲,從而淹沒(méi)相襯的信號(hào)。
以邊緣照明光路為例,在以下實(shí)驗(yàn)中,作者分析了不同的透過(guò)率對(duì)邊緣增強(qiáng)效果的影響??梢钥吹剑?0%左右的透過(guò)率才能保證對(duì)相襯的探測(cè)效果:
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不同厚度金箔的X射線能量透過(guò)率 

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透過(guò)率對(duì)邊緣增強(qiáng)效果的影響

但是目前,對(duì)于2-3μm 的小周期光柵,受到工藝的制約,其深寬比很難做的很高(典型的技術(shù)指標(biāo)如下所示):

周期:3±0.1μm;占空比:0.5±0.05;光柵面積:50mm x 50mm;光柵厚度:25-29μm

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這使得幾十keV水平的應(yīng)用很難開(kāi)展。而且,對(duì)于 2μm 以下的周期,必須用到電子束光刻來(lái)制作掩模版,這也大大增加了成本。但如果能將周期妥協(xié)到 10μm 以上,那么獲得 25 倍以上的深寬比還是可以實(shí)現(xiàn)的。
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以上是我們?yōu)榭蛻舳ㄖ频囊惶坠鈻牛?span style="font-size: 12px;color: rgb(54, 120, 223);box-sizing: border-box;">通過(guò)拼接和多次曝光,G2 光柵的尺寸可以達(dá)到 400mm*80mm,可以滿足大視場(chǎng)成像的需求。同時(shí) G2 的厚度在 250μm 以上,完全滿足有效射束能量在 40keV,即約 70KV 管電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。

 2.2 

二維光柵/微結(jié)構(gòu)—成本vs指標(biāo)

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不同厚度金箔的 X 射線能量透過(guò)率 

結(jié)合實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景,選擇合適的技術(shù)路線和技術(shù)參數(shù),將微結(jié)構(gòu)尺度控制在15-30μm 范圍,深寬比甚至可以達(dá)到30;那么無(wú)論是從技術(shù)實(shí)行難度還是成本方面,都是非常有意義的。這些能力也完全能夠支撐邊緣照明技術(shù)路線的微結(jié)構(gòu)制作。可以看到,400μm 的厚度,完全可以支撐 60-80keV 的高能應(yīng)用。

高縱橫比針孔

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目前我司有備有大量針孔現(xiàn)貨與試用樣品,歡迎感興趣的老師聯(lián)系我們。

 3.1 

高能大視場(chǎng)相襯的技術(shù)路線和器件簡(jiǎn)析

光柵法相襯成像

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基于光柵法的相襯成像,目前的另一個(gè)痛點(diǎn)是適用于100keV 水平的高能高縱橫比光柵難以獲得。
一種思路是將光柵翻轉(zhuǎn) 90 度,使柵線和光軸同軸,通過(guò)柵線的長(zhǎng)度來(lái)吸收高能 X 射線:
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但這種方式犧牲了一維方向上的視場(chǎng)。既然光柵這條路不好走,那么我們可能需要轉(zhuǎn)換思路。

對(duì)于光源來(lái)說(shuō),100KV 以上的微焦點(diǎn)光源是可以獲得的,但是其光通量必然較低。在高投影放大倍數(shù)的情況下,落到每一個(gè)像素的光子數(shù)極其有限。顯然,如果要用同軸法來(lái)實(shí)現(xiàn)高能的寬視場(chǎng)相襯成像,對(duì)探測(cè)器的要求有:小像素、低串?dāng)_以保證高空間分辨、高能高靈敏響應(yīng)以保證實(shí)驗(yàn)效率、視場(chǎng)大小則制約樣品尺寸。

而目前,加拿大滑鐵盧大學(xué)研發(fā)了一款 8μm 像素的直接探測(cè)型 a-Se CMOS 探測(cè)器,并由加拿大 KA Imaging 公司成功商業(yè)化,非常適用于高能相襯場(chǎng)景:
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8μm 像素的直接探測(cè)型4K芯片

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 a-Se CMOS 探測(cè)器 BrillianSe?

BrillianSe?探測(cè)器介紹:跨向理想X射線探測(cè)器的一小步-高分辨、非晶硒X射線探測(cè)器及其應(yīng)用

APS 線站上進(jìn)行分辨率測(cè)試的裝置照片及測(cè)試結(jié)果:

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APS Beamline 1-BM;21keV, 250ms, 100幀平均;JIMA RT RC-05分辨率測(cè)試卡

可以看到:無(wú)論是 8μm 的高分辨線對(duì)卡,還是 15-30μm 的低分辨卡,強(qiáng)度調(diào)制都非常明顯。說(shuō)明 BrillianSe? 的空間分辨能力非常優(yōu)秀。

接下來(lái)通過(guò)刀邊成像,提取線分布函數(shù):

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146pixels x 274-pixels ROI

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可以看到:其半高全寬為 9.7μm,僅為像素尺寸的1.1倍。而同樣是 9μm 像素的間接探測(cè) CCD 相機(jī)參數(shù):其點(diǎn)擴(kuò)散(FWHM = 27μm),一般是像素尺寸的 3 倍。所以,這個(gè)數(shù)據(jù)再次說(shuō)明,直接探測(cè)型 a-Se CMOS 探測(cè)器的空間分辨能力是非常優(yōu)越的。

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同時(shí),這款探測(cè)器是直接探測(cè),具有天然的靈敏度優(yōu)勢(shì),其采用100μm 厚的 a-Se 傳感器,高能響應(yīng)可以覆蓋100keV。所以,該款探測(cè)器為高能寬視場(chǎng)同軸相襯成像的實(shí)現(xiàn)提供了可能。

a-Se CMOS 探測(cè)器 BrillianSe? 測(cè)試結(jié)果:

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陶瓷封裝的內(nèi)部 IC 直徑為 24μm 的金屬線

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直徑為 8μm 的軟排線


References

6. Pil-Ali, Abdollah, et al. "Direct Conversion X-ray Detector with Micron-Scale Pixel Pitch for Edge-Illumination and Propagation-Based X-ray Phase-Contrast Imaging." Sensors 22.15 (2022): 5890.

7.Li, Xinbin, et al. "A preclinical large-field-of-view x-ray multi-contrast lung imaging prototype." Medical Imaging 2020: Physics of Medical Imaging. Vol. 11312. SPIE, 2020.

8. Thüring, Thomas, et al. "X-ray phase-contrast imaging at 100 keV on a conventional source." Scientific reports 4.1 (2014): 1-4.

9. Scott, Christopher C., et al. "High-energy micrometre-scale pixel direct conversion X-ray detector." Journal of Synchrotron Radiation 28.4 (2021): 1081-1089.


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