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X射線半導(dǎo)體計(jì)量系統(tǒng)

X射線半導(dǎo)體計(jì)量系統(tǒng)

專門用于研發(fā)實(shí)驗(yàn)室或中試線的X射線半導(dǎo)體計(jì)量學(xué)實(shí)驗(yàn)室設(shè)備,特別是化合物半導(dǎo)體,MEMS,高功率器件和后道工藝。

  • 產(chǎn)地: 德國(guó)
  • 型號(hào):
  • 品牌: SIRIUS

產(chǎn)品介紹

X射線半導(dǎo)體計(jì)量分析系統(tǒng)

專門用于研發(fā)實(shí)驗(yàn)室或中試線的X射線半導(dǎo)體計(jì)量學(xué)實(shí)驗(yàn)室設(shè)備,特別是化合物半導(dǎo)體,MEMS,高功率器件和后道工藝。

-通過(guò)XRR, HRXRD和RSM, GID,晶圓Mapping進(jìn)行薄膜計(jì)量。

-樣品臺(tái)可支持大至200mm的晶圓或200mm x 200mm的剛性/柔性樣品。

-自動(dòng)化測(cè)量和分析。

-最先進(jìn)的專有分析和測(cè)量軟件。

-設(shè)備尺寸:1.2m x 1.3m x 2.1m


典型應(yīng)用

1. X射線反射率

X射線反射率測(cè)量是基于從薄膜表面散射的X射線與多層堆疊子層之間不同界面的相長(zhǎng)干涉測(cè)量來(lái)實(shí)現(xiàn)的。使用專有的Sirius-XRR最新軟件分析程序來(lái)測(cè)量和擬合XRR曲線,可以確定:

  • 薄膜和多層膜的層厚

  • 層間和界面粗糙度

  • 表面密度梯度和層密度

  • 界面結(jié)構(gòu)

  • 整個(gè)晶圓的層/膜均勻性


技術(shù)指標(biāo)

  • 最小厚度: ~1.5nm

  • 最大厚度: ~300nm

  • 厚度分辨率:約為測(cè)量厚度的1%

  • 橫向分辨率(最小光斑尺寸~1cm)

北京眾星聯(lián)恒科技有限公司

案例:硅襯底上的Al2O3/InGaAs薄膜

2. 高分辨XRD

高分辨率X射線衍射(HRXRD)常用于外延薄膜和多層膜的表征和工藝研發(fā),如:SiGe,SOI,Si基外延GaN,光子學(xué)材料,通常的III / V族半導(dǎo)體,外延復(fù)合氧化物等。對(duì)于這些材料的表征,會(huì)使用不同的HRXRD技術(shù):

北京眾星聯(lián)恒科技有限公司

案例:外延層的搖擺曲線

北京眾星聯(lián)恒科技有限公司

案例: GaN多層結(jié)構(gòu)的θ/2θ掃描

3. 倒易空間掃描

二維倒易空間掃描,主要用于通過(guò)測(cè)量和分析互易空間的面積來(lái)快速確定三維結(jié)構(gòu)參數(shù)。

北京眾星聯(lián)恒科技有限公司

4. 面內(nèi)掠入射測(cè)量

面內(nèi)掠入射衍射是一種用于快速確定超薄外延膜的面內(nèi)晶格參數(shù),相對(duì)于基板的層結(jié)構(gòu)配準(zhǔn),以及橫向結(jié)晶膜質(zhì)量的技術(shù)。

北京眾星聯(lián)恒科技有限公司

5. 掠入射粉末衍射和薄多晶層的物相鑒定

掠射入射下的X射線衍射可降低入射X射線的穿透深度,因此可排除部分來(lái)自基板的信號(hào),以實(shí)現(xiàn)納米薄膜測(cè)量。

6. 半導(dǎo)體晶圓掃描

可在沒(méi)有潔凈室的研發(fā)環(huán)境中,實(shí)現(xiàn)直徑達(dá)200mm的晶圓均勻性(成分,厚度,應(yīng)變)掃描。


資料/文獻(xiàn)

請(qǐng)見(jiàn)上述標(biāo)題中資料/文獻(xiàn)部分。


公司介紹

德國(guó)Sirius公司成立于2015年,是一家材料科學(xué)和半導(dǎo)體行業(yè)X射線分析解決方案的提供商。作為一家獨(dú)立的儀器集成商,Sirius不僅向同步輻射用戶提供薄膜,表面和原位表征的完整實(shí)驗(yàn)室解決方案,還提供X射線半導(dǎo)體計(jì)量解決方案以及X射線衍射分析服務(wù)。


1. X射線反射率

X射線反射率測(cè)量是基于從薄膜表面散射的X射線與多層堆疊子層之間不同界面的相長(zhǎng)干涉測(cè)量來(lái)實(shí)現(xiàn)的。使用專有的Sirius-XRR最新軟件分析程序來(lái)測(cè)量和擬合XRR曲線,可以確定:

  • 薄膜和多層膜的層厚

  • 層間和界面粗糙度

  • 表面密度梯度和層密度

  • 界面結(jié)構(gòu)

  • 整個(gè)晶圓的層/膜均勻性


技術(shù)指標(biāo)

  • 最小厚度: ~1.5nm

  • 最大厚度: ~300nm

  • 厚度分辨率:約為測(cè)量厚度的1%

  • 橫向分辨率(最小光斑尺寸~1cm)

北京眾星聯(lián)恒科技有限公司

案例:硅襯底上的Al2O3/InGaAs薄膜


2. 高分辨XRD

高分辨率X射線衍射(HRXRD)常用于外延薄膜和多層膜的表征和工藝研發(fā),如:SiGe,SOI,Si基外延GaN,光子學(xué)材料,通常的III / V族半導(dǎo)體,外延復(fù)合氧化物等。對(duì)于這些材料的表征,會(huì)使用不同的HRXRD技術(shù):

北京眾星聯(lián)恒科技有限公司

案例:外延層的搖擺曲線

北京眾星聯(lián)恒科技有限公司

案例: GaN多層結(jié)構(gòu)的θ/2θ掃描


3. 倒易空間掃描

二維倒易空間掃描,主要用于通過(guò)測(cè)量和分析互易空間的面積來(lái)快速確定三維結(jié)構(gòu)參數(shù)。

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4. 面內(nèi)掠入射測(cè)量

面內(nèi)掠入射衍射是一種用于快速確定超薄外延膜的面內(nèi)晶格參數(shù),相對(duì)于基板的層結(jié)構(gòu)配準(zhǔn),以及橫向結(jié)晶膜質(zhì)量的技術(shù)。

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5. 掠入射粉末衍射和薄多晶層的物相鑒定

掠射入射下的X射線衍射可降低入射X射線的穿透深度,因此可排除部分來(lái)自基板的信號(hào),以實(shí)現(xiàn)納米薄膜測(cè)量。


6. 半導(dǎo)體晶圓掃描

可在沒(méi)有潔凈室的研發(fā)環(huán)境中,實(shí)現(xiàn)直徑達(dá)200mm的晶圓均勻性(成分,厚度,應(yīng)變)掃描。



北京眾星聯(lián)恒科技有限公司Sirius-X射線解決方案 datasheet 2022.4.24.pdf


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