紫外光刻
2025-03-27 16:29:52
unistar
- 相關產(chǎn)品：
依托尖端設備和豐富的經(jīng)驗，我們能夠為客戶提供從設計到成品的一站式解決方案，涵蓋電子束光刻、激光直寫、X射線光刻、雙光子聚合、極紫外激光干涉光刻、紫外光刻、電鍍等多種核心技術。產(chǎn)品線包括菲涅耳波帶片、納米級光柵、金剛石光學器件、納米分辨率測試卡、3D分辨率測試卡等。菲涅耳波帶片分辨率可低至<10nm，憑借獨特的 Ir-線倍增技術，可以獲得精確到 5nm 的 X 射線束聚焦。
紫外光刻
紫外光刻是一種使用紫外光通過掩模將圖案轉移到光刻膠上的技術，而Mask Aligner（掩模對準器）則是實現(xiàn)這一技術的關鍵設備。通過將掩模上的精細圖案精確轉移到涂覆了光刻膠的硅片上。這一過程不僅要求極高的對準精度，還需要高效的生產(chǎn)效率。Mask Aligner的出現(xiàn)極大地推動了半導體技術的發(fā)展，使得更復雜、更精細的電路成為可能，適用于大規(guī)模生產(chǎn)和多材料圖案化。
設備: SUSS MA8-BA6 、SUSS MA6-BA6
支持6/8英寸晶圓的精確對準和曝光，分辨率可達800nm。
提供頂部和底部對準選項，確保高精度圖案轉移。
典型應用
廣泛材料的圖案轉移，適用于半導體、光學器件等領域。
膜狀晶圓和其他特殊基底的加工。