公司介紹艾格斯瑞（成都）儀器設(shè)備有限公司成立于2020年。艾格斯瑞以仿真模擬體系為基礎(chǔ)，立足于研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造X射線核心器件及部件，致力于為工業(yè)及科研客戶提供高效、可靠、先進(jìn)的成套解決方案。主要產(chǎn)品包括微焦點(diǎn)X射線光源、X射線核心器件、X射線探測(cè)器、X射線仿真模擬軟件，廣泛應(yīng)用于多種材料分析表征和基礎(chǔ)研究場(chǎng)景，如新能源材料及器件表征、半導(dǎo)體制程檢測(cè)、材料及芯片器件逆向工程、前沿材料研發(fā)、等離子體診
公司介紹
艾格斯瑞（成都）儀器設(shè)備有限公司成立于2020年。艾格斯瑞以仿真模擬體系為基礎(chǔ)，專注于研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造X射線核心器件及部件，致力于為工業(yè)及科研客戶提供高效、可靠、先進(jìn)的成套解決方案。
主要產(chǎn)品包括微焦點(diǎn)X射線光源、X射線核心器件、X射線探測(cè)器、X射線仿真模擬軟件，廣泛應(yīng)用于多種材料分析表征和基礎(chǔ)研究場(chǎng)景，如新能源材料及器件表征、半導(dǎo)體制程檢測(cè)、材料及芯片器件逆向工程、前沿材料研發(fā)、等離子體診斷等。
產(chǎn)品介紹
SpotLight-P 多毛細(xì)管微焦點(diǎn)X射線光源結(jié)合了低功率x射線源和多毛細(xì)管X光透鏡，可提供高通量的X射線光束，廣泛應(yīng)用于先進(jìn)的材料分析。SpotLight-P 可提供幾種標(biāo)準(zhǔn)聚焦、微聚焦或準(zhǔn)直光束配置，也可以針對(duì)特定應(yīng)用進(jìn)行定制。
特征優(yōu)勢(shì)
? 高性能光學(xué)整形組件：可輸出高品質(zhì)X射線光束
? 聚焦輸出：最小可達(dá)8μm的輸出焦點(diǎn)尺寸
? 準(zhǔn)直輸出：低至0.2°的輸出發(fā)散角
? 靈活的輸出光束選項(xiàng)：聚焦、準(zhǔn)直、微聚焦三類選擇
? X射線管耦合多毛細(xì)管可產(chǎn)生兼具高亮度和小焦點(diǎn)尺寸的線束
? 水冷散熱，提高光管的安全性
? 內(nèi)置X射線管的自動(dòng)暖機(jī)/訓(xùn)機(jī)程序
? 內(nèi)置目標(biāo)功率的自動(dòng)緩升緩降曲線
? 內(nèi)置自動(dòng)化安全關(guān)機(jī)功能
? 內(nèi)置自檢程序，確保設(shè)備的可靠性和操作的安全性
? 內(nèi)置提高可靠性的故障報(bào)警和安全回路
規(guī)格參數(shù)
SpotLight-P光管通用參數(shù)
項(xiàng)目 | 指標(biāo) |
最高管電壓 | ≤50KV |
最高管電流 | ≤1mA |
可選靶材 | Cu/Mo/Rh/Ag/W（其它靶材可討論定制） |
冷卻方式 | 風(fēng)冷+水冷 |
光管尺寸（含毛細(xì)管調(diào)節(jié)裝置） | 261mmx 186mmx 110mm |
重量（含毛細(xì)管和調(diào)節(jié)裝置） | 10kg |
Mo靶聚焦型光源典型參數(shù)
工作距離（mm） | 10 | 60 | 150 | 200 |
聚焦光斑尺寸 （μm, FWHM, Mo-Kα） | 30 | 110 | 350 | 380 |
輸出通量 （Mo-Kα, phs/s） | >2.7E7/s | >6.7E7/s | >7.6E7/s | >8.1 E7/s |
Mo靶準(zhǔn)直型光源典型參數(shù)
輸出光束直徑 （mm） | 2mm | 5mm | 6mm | 10mm |
輸出通量 （Mo-Kα, phs/s） | >6.6E6/s | >3.7E7/s | >4.7E7/s | >6.2E7/s |
Cu靶聚焦型光源典型參數(shù)
工作距離（mm） | 10 | 60 | 150 | 200 |
聚焦光斑尺寸 （μm, FWHM, Cu-Kα） | 50 | 250 | 450 | 620 |
輸出通量 （Cu-Kα, phs/s） | >1.1E9/s | >5.4E9/s | >5.3E9/s | >5.3E9/s |
Cu靶準(zhǔn)直型光源典型參數(shù)
輸出光束直徑 （mm） | 4mm | 6mm | 10mm |
輸出通量 （Cu-Kα, phs/s） | >2.3E9/s | >4.8E9/s | >8.5E9/s |
典型應(yīng)用
掠入射小角散射（GISAXS）
單晶/粉末X射線衍射、勞埃衍射(SC-XRD、XRPD、Laue Diffraction)
（二維、三維、共聚焦）微區(qū)X射線熒光（μ-XRF）
X射線激發(fā)發(fā)光（XEOL）
半導(dǎo)體解決方案應(yīng)用場(chǎng)景
薄膜堆棧的金屬層結(jié)構(gòu)測(cè)量
UBM/RDL層厚和組分監(jiān)測(cè)
埃米水平的超薄層測(cè)量
Bump球的高度測(cè)量
基于TXRF的硅晶圓表面沾污測(cè)量
基于XRR的膜厚測(cè)量
外延材料晶格結(jié)構(gòu)及膜厚分析
芯片和電路板失效分析
芯片和電路板制程監(jiān)控
原位透射衍射案例
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LiFePO4正極鋰電池充放電過(guò)程中的 原位衍射（測(cè)量時(shí)長(zhǎng)：300分鐘） | NbS2正極鈉電池充放電過(guò)程中的 原位衍射（測(cè)量時(shí)長(zhǎng)：500分鐘） | NaVO正極鋅電池充放電過(guò)程中的 原位衍射（測(cè)量時(shí)長(zhǎng)：460分鐘） |
