CCD動(dòng)態(tài)范圍(Dynamic Range)是指: 能夠探測(cè)到的最大光強(qiáng)(曝光量)和最小光強(qiáng)的比值。DR = (Nwell - Ndark)/σread,其中Nwell:滿井電子數(shù),Ndark:暗電子數(shù)。從上式可以看出,動(dòng)態(tài)范圍主要的影響因素是讀出噪聲。
2020-03-02
Greateyes CCD相機(jī)有哪些圖像校正(Image Correction)方法1) 暗電流校正(Dark Current Correction)Greateyes CCD相機(jī)每行像素左右設(shè)置有幾個(gè)暗像素(啞像素),這些像素被遮蓋,不感光,用于測(cè)量曝光過(guò)程中累積的暗電流電子數(shù),以這些啞像素的暗電流電子數(shù)校正像素
2020-03-02
Greateyes CCD內(nèi)真空相機(jī)和外真空相機(jī)有何區(qū)別??jī)?nèi)真空相機(jī)和外真空相機(jī)都是通過(guò)法蘭與所測(cè)光源連接。內(nèi)真空相機(jī)整體處于真空環(huán)境中,而外真空相機(jī)只是CCD傳感器處于真空環(huán)境中。此外,內(nèi)真空相機(jī)整體處于真空環(huán)境,減少了機(jī)身到CCD傳感器之間的熱傳導(dǎo),因此,內(nèi)真空相機(jī)可冷卻到~-90℃,而外真空相機(jī)冷卻到~-80℃,即內(nèi)真空相機(jī)受外部環(huán)境溫度的影響較小。Greateyes CCD相機(jī)設(shè)備像素與軟
2020-03-02
勢(shì)阱收集的是電子,對(duì)P-Si襯底來(lái)說(shuō),是P型半導(dǎo)體的少子。由于熱激發(fā),P型半導(dǎo)體總會(huì)有少量的電子生成,其數(shù)量與溫度密切相關(guān),230K~300K范圍內(nèi)少子數(shù)量與溫度(K)的近似關(guān)系如下: 暗電流越小越好,一般以每秒每像素多少個(gè)電子給出。Greateyes GE-VAC 1024 256 BI UV1暗噪聲0.0005 e-/pixel/sec @ -80℃熱激發(fā)產(chǎn)生的電子是一種噪聲,稱為暗噪聲(Da
2018-12-04
量子效率(Quantum Efficiency)(光譜特性)定義為CCD芯片在一定波長(zhǎng)入射光的照射下,由光電效應(yīng)產(chǎn)生的平均光電子數(shù)與入射光子數(shù)之比,表征了CCD芯片對(duì)不同波長(zhǎng)入射光的敏感程度。不同波長(zhǎng)的光量子效率不同,CCD對(duì)某些波長(zhǎng)的量子效率可高達(dá)98%。光電子數(shù)量:入射方式l 當(dāng)光從柵極一側(cè)入射時(shí),光會(huì)被柵極吸收一部分,并且某些波長(zhǎng)的光子可能無(wú)法穿過(guò)柵極和SiO2絕緣層,量子效率低
2018-12-04
CCD結(jié)構(gòu)和工作原理CCD每個(gè)像素是一個(gè)金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxidation-Semiconductor, MOS)單元,按制造方法大體上可分為:l? 表面溝道電荷耦合器件(SCCD – Surface-channel Charge-Coupled Device)l? 隱埋通道電荷耦合器件(BCCD – Buried Channel Charge-Coupled
2018-12-04
對(duì)科學(xué)級(jí)相機(jī),一般為數(shù)百個(gè)ke。滿井容量與柵極電壓UG、絕緣層電容Cox、柵極面積Ad和P-Si摻雜濃度相關(guān):Q=Cox×UG×AdGreateyes內(nèi)真空相機(jī) GE-VAC 1024 256 BI UV1,像素滿井容量為500ke。滿井容量高,則動(dòng)態(tài)范圍大。上述內(nèi)容由我司Jerry Huang 整理收集,僅用于知識(shí)的分享和共同學(xué)習(xí),未經(jīng)過(guò)同意不得擅自轉(zhuǎn)載。
2018-12-04
單位面積的像素個(gè)數(shù),分辨率與像素大小(面積)、單位面積或單位長(zhǎng)度內(nèi)像素個(gè)數(shù)相關(guān)??茖W(xué)級(jí)CCD相機(jī)通常以像素大小和像素個(gè)數(shù)給出分辨率。如Greateyes內(nèi)真空相機(jī) GE-VAC 1024 256 BI UV1,像素個(gè)數(shù)為1024×256個(gè),像素面積為26μm×26μm。
2018-10-17
CCD是Charge-Coupled Device電荷耦合器件的縮寫。CCD是貝爾實(shí)驗(yàn)室W.S.Boyle和G.E.Smith于1970年發(fā)明的,由于它具有光電轉(zhuǎn)換、信息存儲(chǔ)、延時(shí)和將電信號(hào)按順序傳送等功能,且集成度高、功耗低,因此隨后得到飛速發(fā)展,是圖像采集及數(shù)字化必不可少的關(guān)鍵部件,廣泛用于科學(xué)、教育、醫(yī)學(xué)、商業(yè)、工業(yè)、軍事和消費(fèi)領(lǐng)域。
2018-10-17
CCD基本單元CCD基本單元為像素,按像素的排列方式有兩種:1. 線陣CCD – 多個(gè)像素排成一行或一列,如掃描儀。2. 面陣CCD – 多個(gè)像素排成陣列。如家用CCD相機(jī)??茖W(xué)級(jí)CCD相機(jī)一般是面陣。如Gr
2018-10-17